GLF 最新 I_QSmart™ 负载开关提供突破性的大小与 R_ON

2016年5月4日，GLF在美国正式发布具有突破性性能的GLF71301负载开关，能够提供突破性的导通电阻(R_ON: 34 mΩs, typ, at 5.5V) ，同时具有超小尺寸（0.77mm x 0.77mm）。

作为 I_QSmart™系列高性能负载开关的最新成员，GLF71301 比其类似尺寸的竞争对手更有效地提高了系统效率并优化了电池续航时间。除了拥有业界最低的 R_on， GLF71301 在关断状态下能够提供7 nA 的漏电流保护技术 （nA, typ., at 3.6 V_IN ）以及在工作状态下低至1nA的超低漏电流保护技术(1 nA, typ. @ 3.6 V.)。可广泛应用包括那些需要更小、更高效的负载开关的应用场景，如可穿戴设备、数据存储、SSD、移动设备、低功耗系统和电池供电系统。

基于 GLF 的先进技术，GLF71301在其同一尺寸的负载开关中表现出无与伦比的 R_ON性能。虽然在外形上比 GLF 的前一代 GLF71311 小近 40%，但它实现了空间节省的同时对导通阻抗的影响最小。与竞品相比，GLF71301 的导通电阻降低了 28%-53%。这种极低的导通电阻有助于提供的运行效率和延长电池寿命。

GLF71301 还拥有极其出色的关断电流和静态电流。GLF71301 负载开关的 7nA 的关断电流比竞品低 20 倍。为了提供系统的效率，负载开关可被用于系统待机状态下关断相应的负载从而节省系统电量。因此，I_SD越低，在关闭状态下损耗的功率就越少。此外，GLF71301 的静态电流（I_Q仅为 1 nA），这比最接近的竞争对手低 70 倍以上，比其他竞品低几百倍。与其他负载开关相比，GLF71301 负载开关的 I_SD 和 I_Q 组合可更好地减少耗电和电池消耗。

"我们新的GLF71301负载开关提供了最好的大小与R_ON，"GLF的创始人和总裁Eileen SUN讲到。"现在，我们的客户在设计全新、空间限制的系统时，可以选择更小尺寸的芯片。这款新产品比我们之前发布的GLF71311小37%，但它的导通电阻仍然非常低。通过此次推出，GLF 继续以一流的效率和性能引领行业。